일반기술

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 제1도전형 기판 위에 제1 도전형 버퍼층, 제1도전형 클래드층, 언도프트된 활성층, 제2도전형 클래드층, 제1도전형 양자 우물층이 차례로 형성되고, 제1도전형 양자 우물층위의 리지 양 바깥측 제1도전형 전류 제한층이 형성되고 제1도전형 전류 제한층 사이 및 상부에 제3도전형 클래드층이 형성되고, 제1도전형 전류 제한층 위에 형성된 제3도전형 클래드층 위에 제1도전형 접촉층이 형성되고, 제1도전형 전류 제한층과 제1도전형 양자 우물층 및 제3도전형 클래드층 사이에 공기층이 형성되는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 리지 이외의 일부분을 굴절율(n0=1)을 갖는 공기중에 노출시켜 구체적인 래터럴 방향의 인덱스 차를 두고, 활성층을 구조적으로 제한하며, 클래드층의 두께 변화를 동시에 적용하여 광가이드 최대화와 빔 사이즈 최소화를 실현하는 효과를 도출한다.