일반기술

레이저 다이오드 및 그 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 광특성 및 전류특성이 향상된 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 n형 기판상에 n형 클래드층, 활성층, p형 제 1 클래드층, 식각정지층, p형 제 2 클래드층, p형 InGaP층, p형 GaAs층을 순차적으로 형성하고, p형 GaAs층상에 제 1 절연막을 형성하고 패터닝하여 소정영역의 p형 GaAs층을 노출시킨 후, 패터닝된 제 1 절연막을 마스크로 반응성이온식각하여 노출된 p형 GaAs층, p형 InGaP층, p형 제 2 클래드층을 소정 깊이로 제거하여 p형 제 2 클래드층의 일부분을 남긴다. - 그리고 제 1 절연막을 포함한 전면에 제 2 절연막 및 포토레지스트를 순차적으로 형성하고 포토레지스트를 패터닝하여 남아 있는 p형 제 2 클래드층 상부의 제 2 절연막을 노출시키고, 포토레지스트를 마스크로 습식식각하여 노출된 제 2 절연막 및 p형 제 2 클래드층을 제거하여 식각정지층을 노출시키고 남아 있는 포토레지스트 및 제 1, 제 2 절연막을 제거하여 수직에 가까운 리지 구조를 형성시킨다. - 이어, 노출된 식각정지층상에 전류차단층을 형성하고 전류차단층을 포함한 전면에 전류도통층을 형성한 다음, 전류도통층 상부 및 기판 하부에 각각 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 광특성 및 전류특성을 개선하여 낮은 발진개시전류 및 높은 수평방사각을 얻을 수 있고, 균일성 및 재현성이 좋기 때문에 양산성 및 수율의 향상을 꾀할 수 있다.

기술정보

기술분류
전기·전자 > 기타 반도체
보유기관
한국산업기술진흥원
기술유형
일반기술
등록일
2008-02-20
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

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