일반기술
반도체 레이저 미러 형성 방법
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저 미러 형성 방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 반도체 레이저 구조를 갖는 에피택셜층상의 소정영역에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 포함한 에피택셜층 전면에 Al2O3층과 Si층을 번갈아 형성한 후, 리프트-오프 공정으로 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴상의 Al2O3층과 Si층을 제거하여 Al2O3층과 Si층이 번갈아 적층된 마스크 패턴을 형성하고, 마스크 패턴을 마스크로 에피택셜층을 소정 깊이로 식각하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 식각단면이 수직하고 매끄러우며 미세하여 우수한 공진기 역할을 하는 반도체 레이저 미러의 제작을 가능케 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-20
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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