일반기술
반도체 레이저 다이오드 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 종래 기술에 따른 반도체 레이저 다이오드 제조시 세 번의 화학 식각 공정과 세 번의 에피택시 성장 공정 등의 공정을 단순화시키기 위한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 제1도전형 기판 위에 언도프트된 AlGaAs층과 언도프트된 GaAs층과 다음 공정에서 선택적 성장에 필요한 마스크 및 전류 차단막으로 사용하기 위한 절연막을 차례로 증착하는 공정과, 포토 에치 공정으로 절연막의 중앙 부근을 직사각 형태로 제거하고 이를 마스크로 하여 기판 표면까지 식각하는 공정, 식각된 직사각 형태의 부위에 차례로 제1도전형 클래드층, 활성층, 제2도전형 클래드층, 고농도 제1도전형 캡층을 증착하는 공정과, 고농도 제1도전형 캡층 위와 기판 아래에 각각 제2도전형 전극과 제1도전형 전극을 형성하는 공정으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-20
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.