일반기술
새로운 수은계초전도계와 그제조방법
본 발명은 새로운 수은계 초전도체인 Hg1-x TlxBa2(Ca1-ySry)2Cu3O8+9와 그 제조방법에 관한것으로서, 더욱 상세하게는 방응물로서 삼성분 산화물인 Ba2CuO3+x와 Ca1-ySryCuO2를 사용하여 불순물상의 형성을 억제하고 수은(Hg)일부를 탈륨(Tl)으로 치환하므로써 열적으로 안정하고 높은 임계전류밀도를 갖는 탈륨이 고용된 수은계 초전도체와 그 제조방법에 관한것이다. 일반적인 수은계 초전도체의 제조방법에서 개개산화물을 시편으로 제작하는데 반하여 본 발명에서는 반응에 사용된 산화물을 혼합하여 하나의 시편으로 제작하므로서 CaHgO2와 같은 불순물의 형성을 줄일수 있고 재현성있게 시편을 제작할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 세라믹재료
- 보유기관
- 한국표준과학연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-11-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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