일반기술
금속유도 결정화법에 의한 저온 폴리 실리콘 박막 제조방법
- 개요 본 기술은 금속유도 결정화법에 의한 저온 폴리 실리콘 박막 제조방법을 제공하기 위한 것임.- 특징 비정질 실리콘 박막을 형성하고, 비정질 실리콘 박막의 상부 또는 하부의 한쪽면에 금속층을 형성하여 열처리하므로 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 폴리 실리콘 박막을 제조하는 공정을 통해 결정화된 실리콘 박막을 채널로 이용함.- 효과 채널 내 전자 이동도의 증가와 함께 누설 전류의 양을 급격히 감소시킬 수 있는 등의 TFT 특성 향상을 가져올 수 있고, 저온 폴리 TFT-LCD 혹은 액티브 매트릭스 OLED 제작시 고해상도 및 집적하에 대한 향상이 가능함.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-21
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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