일반기술

매입형 디에이치(DH) 레이저 다이오드

기술의 개요 - 본 기술은 제조비율이 저렴하면서도 레이저 다이오드가 차지하는 공간도 적을 뿐만 아니라 냉각효율이 크고, 또한 광효율에 전혀 기여를 하지 못하는 누설전류를 크게 저감할 수 있는 레이저 다이오드를 제공하기 위한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 중앙부에 형성된 활성층과, 활성층의 상하에 형성된 제 1 도전형 및 제 2 도전형 클래드층, 활성층과 일부의 제 1 도전형 및 제 2 도전형 클래드층의 양측면과, 그리고 다른 일부의 제 1 도전형 및 제 2 도전형 클래드층의 상하에 형성된 제 2 도전형 및 제 1 도전형 전류차단층을 가진 매입형 DH 레이저 다이오드에 있어서, 제 2 도전형 및 제 1 도전형 전류차단층과 활성층, 제 1 도전형 및 제 2 도전형 클래드층 사이, 그리고 제 2 도전형 및 제 1 도전형 전류차단층 사이에 각각 절연층이 형성되고, 제 1 도전형 클래드층과 제 2 도전형 전류차단층 그리고 제 1 도전형 전류차단층과 제 2 도전형 클래드층 사이에 각각 형성된 절연층에서는 레이저 다이오드의 외측으로 전류통로가 형성되고 제 2 도전형 전류차단층과 제 1 도전형 전류차단층 사이에 형성된 절연층에서는 레이저 다이오드의 중심부에 형성된 활성층에 인접하는 부분에 전류통로가 형성되도록 구성되어 있는 것이 특징이다.