일반기술
발광 다이오드 및 그 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 전극 형성시 공정이 복잡하고 전극의 표면이 거친 문제점을 해결하기 위하여, 기판상의 제 1에피텍셜층 일정영역에 활성층 및 제 2 에피텍셜층을 형성하고, 제 1 에피택셜층의 일정영역에 조성의 기울기를 갖는 TiN층, Au층 또는 Al층으로 이루어진 n형 전극을 형성한 후, 제 2 에피텍셜층의 일정영역에 p형 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 공정이 단순하고 전극 표면의 모폴로지가 향상되며 소자의 특성이 향상된 발광 다이오드를 제작할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전자요소 기술
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-21
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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