일반기술

과 잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체소자구조 및 이의 제조 방법

본 발명은 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로 측면확산(LD)층을 사용하는 구조 및 이종접합 구조의 양자채널인 ECC(Excess Carrier Channel)층을 이용하는 구조를 적용하는 소자의 제조방법을 제공한다. ; 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 반도체 소자는 통상의 Si MOS에 비해 전력 소모와 지연 시간의 곱인 값을 감소시킬 수 있고, 이종 접합의 전류 제한 기능으로 인하여 CMOS의 선형특성을 개선시킬 수 있다. Si 반도체의 Sub-70nm 극미세 소자화를 이루는 동시에 1V 이하의 저 전압구동, 정확한 임계 전압의 조절, 저 소비전력과 같은 장점을 제공한다. 따라서, 수 십 기가비트의 ULSI와 수 십 기가 Hz의 동작 특성으로 라디오파 집적 회로, 밀리미터파 집적 회로뿐만 아니고 기억 소자와 마이크로 프로세서, 광전집적회로, 시스템 온 칩(System-on-Chip) 등을 구현하는데 활용될 수 있다.