일반기술

레이저 다이오드 및 그 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 큰 수평방사각을 갖는 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 제 1 도전형 기판상에 제 1 도전형 클래드층, 활성층, 제 2 도전형 제 1 클래드층, 식각정지층, 제 2 도전형 제 2 클래드층, 제 2 도전형 InGaP층, 제 2 도전형 제 1 GaAs층을 순차적으로 형성한 후, 제 2 도전형 GaAs층상의 소정영역에 제 1 절연막 패턴을 형성하고 제 1 절연막 패턴을 마스크로 제 2 도전형 제 1 GaAs층, 제 2 도전형 InGaP층, 제 2 도전형 제 2 클래드층을 제거하여 리지를 형성한다. - 그리고 제 1 절연막 패턴을 제거하고 리지를 포함한 전면에 제 2 도전형 제 2 GaAs층을 형성한 다음, 리지 영역의 제 2 도전형 제 2 GaAs층상에 제 2 절연막 패턴을 형성하고 제 2 절연막 패턴을 마스크로 제 2 도전형 제 2 GaAs층을 제거하여 리지의 상부 및 양측면에만 제 2 도전형 제 2 GaAs층을 남긴 후, 제 2 절연막 패턴을 마스크로 제 2 도전형 제 2 GaAs층 양측에 전류차단층을 선택적으로 형성한다. - 이어, 제 2 절연막 패턴을 제거하고 전류차단층 및 제 2 도전형 제 2 GaAs층상에 캡층을 형성한 후, 캡층 상부 및 기판 하부에 각각 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 저항의 증가 발진개시전류의 증가를 유발하지 않으면서도 리지 폭을 줄일 수 있어 수평방사각을 크게 늘릴 수 있다.