일반기술

침상형 구조를 갖는 질화알루미늄

전계방출 팁의 소재로 몰리브덴(Molybdenum, Mo), 흑연/다이아몬드 구조의 탄소(Diamond Like Carbon, DLC), 탄소나노튜브(CNT), 실리콘(Si) 등이 제시되고 있으나, 그 스핀트 타입의 에미터로 제조하기 어렵다. 예를 들어, 실리콘을 이용할 경우에는 기존의 직접회로(IC) 공정과 양립할 수 있고 구동회로를 내장시킬 수 있기 때문에 좋다는 장점이 있으나, 실리콘은 일함수가 크고 쉽게 산화가 일어나기 때문에 낮은 전계 방출 효율을 보이며 열적으로나 기계적으로 불안정하여 장시간 전계방출을 할 경우 전류에 요동이 발생하는 불안정성을 보인다. 또한, 다이아몬드나 다이아몬드상 카본 등의 박막 에미터는 디스플레이를 제작할 때마다 에미터 형성물질을 합성해야 하고, 제조 조건을 일정하게 유지해야 하는 등의 고도의 안정된 제조 조건이 요구되므로 대형 디스플레이 제작에 적용이 용이하지 않으며, 양산에 불리하여 제조 단가가 높아지는 등의 단점을 갖는다.이러한 단점을 극복하기 위하여 열전도성이 우수하고, 낮은 일함수를 가지는 물질인 Mo, DLC, 다이아몬드 등으로 실리콘 에미터를 코팅 처리를 하거나, 새로운 에미터 재료를 개발이 시급이 요구되고 있는 실정이다. 이에 본 발명은 저전방에서 구동할 수 있는 수직 성장된 단결정 AlN 나노막대를 성장시켜 전계방출 특성이 우수하고, 화학적 안정성 및 저 진공 전계방출 특성을 가지고 있다.