일반기술

무 카드뮴(Cd-free) 은납재 및 그를 위한 플럭스(flux)

기술의 개요 - 본 기술은 은(Ag) 30 중량%와, 구리(Cu) 35 중량%, 아연(Zn) 31.5 중량%, 니켈(Ni) 0.5 중량%, 인듐(In) 2.5 중량%, 주석(Sn) 0.5 중량%로 조성된 무 카드뮴(Cd-free) 은납재와 붕사(Na2B4O7) 19.0 중량%, 붕산(H3BO3) 20.0 중량%, 불화가리(KF) 34.0 중량%, 불산(HF) 26.0 중량%, 염화리튬(LiCl) 1.0 중량%로 조성된 무 카드뮴 은납재를 위한 플럭스에 관한 것이다.기술의 효과 - 본 기술은 종래 기술의 카드뮴(Cd)을 포함한 은납재 및 플럭스와 동등하거나 더 우수한 접합 강도와 퍼짐성과 생산성을 가지면서 인체 및 환경에 나쁜 영향을 미치는 카드뮴(Cd) 성분을 전혀 포함하지 않기 때문에, 카드뮴(Cd)에 의한 문제점을 근본적으로 해결하여 친환경 프로세스의 구축을 가능하게 하는 효과를 도출한다.