일반기술

광도파로용 실리카막 제조방법

본 기술은 광도파로용 실리카막 제조방법에 관한 것으로서, 특히 고밀도 플라즈마 화학기상증착법(HDP-CVD , High Density Plasma CVD)을 이용한 광도파로용 실리카막 증착공정에 관한 것이다.- 특징실리카막이 고밀도 플라즈마 화학기상증착방법(HDP CVD)으로 증착하여 자계유도 코일에 의해 유도되는 고밀도의 플라즈마로 인해 반응가스의 이온화공정이 빠른 속도로 진행되기 때문에 실리카막의 증착률이 높다.실리카막 증착공정과 동시에 불활성 가스에 의한 스퍼터링 공정이 이루어져 증착률이 높고 매우 고밀도의 실리카막이 형성되어 수소를 제거하기 위한 별도의 어닐링 공정이 필요없고, 저온에서 공정이 가능하다.각층(코어층, 상부클래드, 하부클래드)의 굴절율의 정밀한 조절이 용이할 뿐만 아니라 큰 인덱스 컨트라스트가 가능하기 때문에 실리카 도파로만의 단점인 작은 인덱스 컨트라스트에 의한 크기 제한(Size Limitation by small index contrast)을 해결할 수 있으므로 고집적 광소자를 제작할 수 있다.