일반기술
ＬＥＤ/ＬＤ의 ｐ-콘택층 성장 방법
본 기술은 LD(Laser Diode)/LED(Light Emitting Diode) 성장 방법에 관한 것으로, 특히 Ⅲ-Ⅴ족 질화물계 LD/LED 성장에서 p-콘택층 성장 방법에 관한 것이다.- 특징p-콘택층 성장시 In이 성장에 이용되어 낮은 온도에서 성장이 가능하고, In 및 낮은 온도로 인해 p-도펀트의 인입이 상대적으로 용이해져 p-콘택층의 도핑 농도가 높아지고, In의 유입으로 p-콘택층의 에너지 대역폭이 감소하여 p-도펀트의 활성화를 촉진하여 정공농도를 증가시킨다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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