일반기술

금속기판을 이용한 고온 다결정 실리콘 박막트랜지스터제조 방법

본 기술은 박막트랜지스터(Thin Film Transistor , TFT)에 관한 것으로, 특히 금속 기판을 사용하여 다결정 실리콘(poly-silicon)을 형성하기 위한 박막트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다.- 특징온용 기판인 금속기판을 사용하여 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제조하기 때문에 우수한 특성을 가지는 박막트랜지스터의 제조가 가능하고, 따라서 이를 이용하여 제조되는 표시장치의 경우도 우수한 품질의 표시장치 제조가 가능해진다.고온 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조공정의 적용이 가능하므로, 신뢰성이 높고 안정한 디바이스 제작 및 표시장치 제작이 가능하다.반도체 공정에서 사용되는 이온주입 공정, 열처리 공정, 산화공정 등을 모두 적용할 수 있으므로 기존 기술을 그대로 이용할 수 있다.기존의 공정 등을 그대로 이용할 수 있음으로 향후 생산라인의 적용방법이 용이하다.Si의 결정화 공정으로 로(furnacel) 공정을 사용하면 되므로, 레이저 등을 사용하는 고가공정에 비해 저가의 결정화공정이 가능해진다.