일반기술

발광 다이오드 및 그 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상에 제 1 에피택셜층, 활성층 그리고 제 2 에피택셜층을 순차적으로 형성하고, 활성층 및 제 2 에피택셜층을 패터닝하여 제 1 에피택셜층의 일정영역을 노출시킨다. 그리고, 제 1, 제 2 에피택셜층상의 소정영역에 각각 ⅢB~ⅧB 그룹으로부터 선택된 천이금속 중 어느 하나와 Si을 순차적으로 적층한 후, 열처리 하여 실리사이드층을 형성한 다음, 실리사이드층상에 Au 또는 Al을 형성하여 제 1 에피택셜층의 소정영역에 제 1 전극을, 제 2 에피택셜층의 소정영역에는 제 2 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 소자의 전기적 특성이 매우 우수하고, 본딩공정이 수월하며, 공정이 간단하고 비용을 절감할 수 있다.

기술정보

기술분류: 전기·전자 > 기타 전자요소 기술
보유기관: 한국산업기술진흥원
기술유형: 일반기술
등록일: 2008-02-25
데이터 갱신일: 정보 없음

상세설명

정보 없음

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