일반기술

이종접합 바이폴라 트랜지스터

기술의 개요 - 본 기술은 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT:Heterojunction Bipolar Transistor)에 관한 것으로, 특히 베이스-콜렉터 간 PN접합폭을 줄이기 위한 구조와 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판과, 기판 위에 형성된 부콜렉터층, 기판과 부콜렉터층의 일부에 소정의 형상으로 이온이 주입되어 형성된 절연층, 부콜렉터층 위에 소정의 형상으로 형성된 콜렉터전극 및, 부콜렉터층 위 일부에 소정의 형상으로 형성된 콜렉터층, 콜렉터층 위에 형성된 베이스층과, 베이스층 위 일부에 소정의 형상으로 형성된 에미터층, 에미터층 위에 동일한 형상으로 형성된 오믹캡층, 베이스층 위에 에미터층 둘레로부터 소정의 거리를 두고 형성된 베이스전극, 오믹캡층 위에 오믹캡층의 형성된 경계범위를 넘어서 형성된 에미터전극, 베이스전극과 동일한 물질로 에미터전극 위를 도포하도록 형성된 베이스금속층, 베이스층과 베이스전극 위에 오믹캡보다 높은 높이로 형성된 절연막, 절연층 위에 형성되어 일부가 베이스전극에 연결된 베이스패드배선, 절연막 위에 에미터전극 상단 베이스금속층을 포함하도록 형성된 전극배선 그리고, 전극배선과 패드배선을 연결하도록 형성된 공중중첩배선이 포함된 구조로 된 것이 특징이다.