일반기술

전계방출소자 및 그의 제조방법

- 개요 본 기술은 전계방출소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 MIM(METAL INSULATING METAL) 일반 오버행막들의 소재를 변경하여 에미터로부터 방출되는 전자빔의 퍼짐을 방지하도록 하는데 적당하도록 한 전계방출소자 및 그의 제조방법에 관한 것임.- 특징 터널 산화막 상부에 형성된 전자 방출을 위한 최상부 전극 에미터와, 상부 데이터 전극 상부에 위치하며 절연성막이 하부 과다 식각층으로 형성되고 그 상부가 도전성막으로 형성된 오버행 구조물과, 오버행 구조물의 도전성막 상부에 형성되며 터널 산화막 상부의 최상부 전극과는 전기적으로 절연된 최상부 전극 주변 에미터를 포함하는 전계방출소자와 이를 제조하는 방법을 제공함.- 효과 상부 오버행 도전성 전극에 부극성(-) 전압을 인가하여 방출되는 전자빔의 포커스를 조절할 수 있도록 하여 공정의 복잡한 변경 없이도 혼색 없는 고해상도를 구현하는 것은 물론이고 빔의 밀도를 증가시켜 고휘도를 달성할 수 있는 효과가 있음.