일반기술
반도체레이저 다이오드 제조방법
본 기술은 반도체레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 특히 BR(Buried Ridge) 구조를 가지는 반도체레이저 다이오드 제조방법에 관한 것이다.- 특징리지 식각 마스크를 기존보다 넓은 것을 사용하여 오버에칭함으로써 리지의 상부면의 폭이 기존 마스크를 이용한 것에 비해 줄지 않아 주입되는 전류의 양이 줄어들지 않고 리지의 측면을 곡면이 아닌 사면으로 식각하여 전류제한층의 막질을 개선하며, 리지의 하부면의 폭을 줄일 수 있어, 전기적 특성 및 방사효율을 개선한다.p형 제2 클래드층의 조성을 약간 변화시켜 리지의 측면이 사면을 갖도록 식각을 촉진시켜 전기적 특성 및 방사효율을 개선한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-26
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.