일반기술
캔틸레버의 구조
본 기술은 캔틸레버의 구조에 관한 것으로, 특히 원자력 현미경(atomic force microscopy , AFM)용 캔틸레버의 실리콘 암(silicon arm)에 엔형 실리콘 압저항 센서(n type silicon piezoresistive sensor)와 피형 실리콘 압저항 센서(p type silicon piezoresistive sensor)를 집적하여 민감도를 향상시키기에 적당하도록 한 캔틸레버의 구조에 관한 것이다.- 특징실리콘 암에 엔형 실리콘 압저항 센서와 피형 실리콘 압저항 센서를 집적하여 휘트스톤 브릿지 회로에 의한 출력전압을 2배 증가시킬 수 있게 됨에 따라 잡음이 실린 경우에도 실리콘 암의 변위를 정확히 측정할 수 있게 되어 센서의 민감도를 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-26
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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