일반기술
결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법
- 개요 본 기술은 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법에 관한 것임.- 특징 상부에 스트라이프 형태의 홈이 주기적으로 형성된 기판에 버퍼층과 1차 질화물 반도체 박막을 형성하고, 1차 질화물 반도체 박막에서 결함밀도가 높은 영역은 식각하고, 결함밀도가 낮은 영역은 주기적인 스트라이프 형태의 패턴을 형성한 후, 이 패턴을 이용하여 2차 질화물 반도체 박막을 측면 성장시킴으로써, 결함밀도가 낮은 질화물 반도체 박막을 제조함.- 효과 우수한 결정질을 갖는 질화물 반도체 박막을 사용하여 제조된 광소자나 전자소자는 고효율, 고출력, 고신뢰성의 특성뿐만 아니라 높은 수율을 얻을 수 있음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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