일반기술

질화갈륨 에피층 성장 방법

- 개요 본 기술은 질화갈륨 에피층 성장 방법에 관한 것임.- 특징 기판 상부에 질화갈륨층을 성장시키고, 질화갈륨층 상부에 버퍼층을 성장시켜 질화갈륨층에 존재하는 전위의 끝단면에 중심이 일치되는 V-결함을 버퍼층에 형성하는 제 1 단계와, V-결함이 형성된 버퍼층 상부에 절연막을 형성하고, 절연막 상부에 포토레지스트막을 형성하는 제 2 단계와, 절연막이 노출되고, V-결함 내부에 포토레지스트막이 채워지도록, 포토레지스트막의 일부를 플라즈마 에칭으로 제거하는 제 3 단계와, V-결함 내부에 채워진 포토레지스트막으로 마스킹하여, 버퍼층이 노출되도록, 절연막을 제거한 후, 포토레지스트막을 제거하는 제 4 단계와, 버퍼층과 절연막 상부에 질화갈륨 에피층을 형성하는 제 5 단계로 구성됨.- 효과 전위의 끝단면에 중심이 일치되는 V-결함을 갖는 버퍼층을 형성하고, 그 V-결함 내부에 전위를 차단하는 절연막을 형성하여, 성장된 질화갈륨층에 전위 전파를 억제하고, 전 기판 영역에 걸쳐 고르게 전위농도를 감소시킬 수 있음.