일반기술
반도체 소자 및 그 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 소오스/드레인 접합부에 장벽을 설치하여 고온 캐리어 효과를 경감시키는 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상에 게이트 산화막을 사이에 두고 형성되는 게이트 전극과, 게이트 전극의 양 옆에 형성되는 소오스/드레인의 불순물 영역, 소오스/드레인의 불순물 영역내의 장벽 블록으로 구성되는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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