일반기술

Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ 코팅을 이용해 매몰 헤테로구조체의 레이저 다이오드를 제조하는 방법

본 기술은, 매몰 헤테로구조체의 레이저 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Br-메탄올계 에칭액을 이용하여 형성된 메사에 polyimide 코팅을 하여 레이저 다이오드를 형성시키기 위한 polyimide 코팅을 이용해 매몰 헤테로구조체의 레이저 다이오드를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 N형의 InP 기판위에 DH구조의 에피택셜층(B, C, D, E층)을 성장시키는 단계; Cap layer인 E층을 제거한 후 Si3N4막을 침착시키는 단계; Si3N4 막의 표면에 Si3N4 stripe를 형성한 후 HBr계 에칭액을 이용하여 메사를 형성시키는 단계; 메사의 양측에 polyimide를 코팅시킨 후 메사의 상부에 형성된 F층(Si3N4)이 노출될 때까지 polyimide의 표면을 에칭시키는 단계; 메사의 상부에 노출된 F층(Si3N4)을 제거하는 단계; 메사의 마지막층인 E층위에 Ti/Pt/Au를 증착시키는 단계; 그리고 InP 기판을 연마하여 전체 두께를 100∼120㎛가 되도록 한 후 InP 기판에 Ti/Pt/Au를 증착시킨 후 400℃에서 어닐링하는 단계로 구성됨을 특징으로 한다.