일반기술

매몰 헤테로구조체인 레이저 다이오드의 메사를 형성시키는 방법

본 기술은, 매몰 헤테로구조체의 레이저 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 매몰 헤테로구조체 레이저 다이오드의 메사를 형성하기 위해 HBr, H2O2, H2O 및 HCl을 일정한 비율로 혼합한 혼합 에칭액을 사용하여 에칭함으로써 메사의 상층부 폭이 하층부의 폭보다 넓게 형성되도록 하는 매몰 헤테로구조체인 레이저 다이오드의 메사를 형성시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 N형의 InP 기판위에 DH구조의 에피택셜층(B, C, D, E층)을 성장시키는 단계; Cap layer인 E층을 제거한 후 Si3N4막을 침착시키는 단계; Si3N4 stripe를 형성한 후 HBr, H2O2, H2O 및 HCl계를 일정한 비율로 혼합한 에칭액을 이용하여 메사를 형성시키는 단계; 메사의 양측에 a(n-InP) 및 b(p-InP)층을 각각 성장시켜 전류차단층을 형성시키는 단계; 메사의 상부에 형성된 Si3N4 stripe를 제거시킨 후 메사의 표면 및 전류차단층의 표면에 Ti/Pt/Au를 증착시키는 단계; 그리고 InP 기판을 연마하여 전체 두께를 100∼120㎛가 되도록 한 후 InP 기판에 Ti/Pt/Au를 증착시킨 후 400℃에서 어닐링하는 단계로 구성되어 있다.