일반기술

GAAS웨이퍼의 산화막제거를 위한 에칭용해방법

본 기술은, GaAs 산화막을 10옹스트롱 이하의 두께로 조절 제거하기 위한 에칭 용해 방법에 관한 것이다. 황산계를 이용한 크리닝 방법에서는 고속 에칭 용해로서 GaAs의 표면 하부 손상을 효과적으로 제거할 수 있는 반면,Ga와 As의 산화물안 갈륨산화물 및 비소산화물의 용해도가 작기 때문에 GaAs 표면에 형성된 산화막의 효과적인 제거가 어려웠다. 본 기술은 GaAs 웨이퍼의 제조공정중 크리닝 공정에서 표면하부손상(Subdamage) 및 산화막을 제거하기 위하여 웨이퍼를 황산계(H2SO4 : H2O2 : H2O=5 : 1 : 1) 용액에서 1분간 에칭(Etching)한 후, 세척수(D.I.Water)로 헹구어 건조시키는 공지의 방법에 있어서, 상기 황산계 용액을 수산화나트륨계 용액과 교번으로 사용하되, 우선 거울면으로 연마된 웨이퍼를 수산화나트륨계(NaOH : H2O2 = 1 : 1) 용액이 담긴 용기에서 1분간 에칭한 후, 세척수로 헹구고, 상기 황산계(H2SO4 : H2O2 : H2O=5 : 1 : 1) 용액에서 1분간 에칭한 다음, 세척수로 헹구어 원심탈수기(Spin Drayer)로 건조시켜서 된 것을 특징으로 한다.