일반기술

광통신용 반도체칩의 금속접합 방법

본 기술은, 광통신용 반도체칩의 금속접합 방법에 관한 것으로, KOH용액을 사용하여 실리콘 베이스를 식각하는 공정과; 실리콘 베이스를 다이싱 소우하여 절단하는 공정과; 금속증착장치를 사용하여 1마이크론 두께로 증착하는 공정과; 진공하에서 자외선 에너지를 조사하여 금속표면에 흡착된 유기물질을 제거하는 공정과; H2O-NH4OH-H2O2(5:1:1 by volume)용액에서 78℃의 온도하에 약 1분 처리하고 증류수로 세척하여 금속 표면의 무기물 금속원소를 제거하는 공정과; HF-H2O(1:10 by volume) 용액으로 상온에서 약 15초간 세정하고 다시 증류수로 세정하여 산화막을 제거하는 공정과; H2O:HCl:H2O2(6:1:1 by volume) 용액으로 75℃온도에서 약 1분간 처리한 후 증류수로 세정하여 최종적인 원자단위의 불순물을 제거하는 공정과; 세정공정이 끝마친 부품을 실리콘 베이스에 올려놓고 여러개의 칩들을 일괄적으로 질소가스 분위 하에서 310℃의 접합온도로 승온, 냉각하여 접합하는 공정으로 이루어짐이 특징이다. 본 기술은 프럭스와 압력을 사용하지 않는 접합방법을 사용함으로써, 제조할때 개개의 공정에서 온도를 승온하여 금속 접합을 하는 대신 단순히 상이한 여러개의 칩을 원하는 위치에 전부 올려놓은후 일괄적으로 산화방지 분위기하에서 승온, 냉각함으로서 일괄 접합할 수 있는 효과를 제공한다.