일반기술
쇼트키 다이오드 및 그 제조방법
본 발명은 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 트렌치 구조가 갖는 낮은 순방향 전압 강하 특성을 유지하면서 또한 트렌치 끝단에 집중되는 전계를 분산시켜 우수한 역방향 항복 전압 및 누설전류 특성을 갖는 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다.이를 위해 본 발명은 캐소드 전극에 연결되는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성된 에피층과, 상기 에피층의 상부로부터 내부로 신장되도록 형성되고 애노드 전극에 공통 접속되는 불순물 확산층을 가지는 쇼트키 다이오드에 있어서, 상기 불순물 확산층을 관통하여 상기 에피층의 내부로 신장되는 트렌치의 어느 한부분에 전계가 집중되지 않도록 트렌치를 곡선으로 커브지게 형성하거나, 전계가 집중되는 트렌치의 일부분을 산화막으로 감싸도록 한 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-03-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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