일반기술

PB(ZR1-XTIX)O3(PZT) 강유전 박막 제조방법

본 발명에 의한 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타겟 성분의 Pb량(또는 PbO량)을, 증착된박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 PbO 성분이 함유되도록 조절하거나, 혹은 그 증착압력을 5-100mTorr로 조절하여, 상기 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 저온증착하도록 이루어져, 1) 씨앗층을 도입하지 않고서도 기존의 경우보다 낮은 온도에서 우수한 결정성을 갖는 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 제조할 수 있고, 2) 고온증착시 발생되는 박막 조성 조절의 어려움이나 상기 박막을 사용하여 제조한 강유전 기억소자의 스위칭 특성 저하 등과 같은 현상을 제거할 수 있으며, 3) Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막의 피로 특성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.)본 발명에 의한 PZT 강유전 박막의 제2 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr1-xTix)O3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타겟 성분의 PbO량을, 증착되는 박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 Pbo 성분이 함유되도록 조절하므로써, 저온에서 PZT 강유전박막이 형성되도록 이루어진 것을 특징으로 한다.