일반기술

둥근 실리콘 나노와이어를 이용한 다중 게이트 전계효과 트랜지스터 제조 방법 및 그 구조

전통적인 핀 전계효과 트랜지스터 (FinFET)의 단점을 보완하는 다중 게이트 실리콘 나노와이어(nanowire) 전계효과 트랜지스터 (Multi-gate silicon nanowire FinFET)의 구조 및 제작 방법을 제시한다. 본 발명에 따른 핀의 모양이 둥근 나노와이어 전계효과 트랜지스터는 핀 모양이 직사각형인 전통적인 핀 전계효과 트랜지스터와 비교했을 때 에지(edge)에서 코너효과(corner effect)에 의한 게이트 절연막 신뢰성의 저하를 개선할 수 있고 DIBL (Drain Induced Barrier Lowering), subthreshold swing과 같은 단채널 효과를 억제할 수 있다. 본 발명은 단결정 실리콘의 단면이 사각형인 핀을 수소 어닐링(hydrogen annealing)을 통해 둥글게 (edge rounding) 하여 다중 게이트 나노와이어 전계효과 트랜지스터 (Multi-gate Nanowire FinFET)를 제작한 것이다. 이 트랜지스터는 그 제조 방법이 간단하며 재현성이 높고 고밀도 집적이 가능하다는 장점을 가지고 있다. 이러한 기술은 반도체 소자의 크기를 지속적으로 줄일 수 있게 하여 고집적 반도체 IC 개발과 반도체 산업 전반에 걸쳐 파급 효과가 크다.