일반기술

다이오드형 전계방출소자의 전계방출부와 양극간의 거리조절방법

본 발명은 전계방출소자 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다이오드형 전계방출소자에 있어서, 전계방출부의 끝부분과 양극 표면간의 거리를 1㎛ 이하로부터 수백 ㎛에 이르기까지 수십 Å 수준의 분해능으로 조절 가능토록 한 다이오드형 전계방출소자의 전계방출부와 양극간의 거리조절방법에 관한 것이다.본 발명은 다이오드형 전계방출소자의 전계방출부와 양극간의 거리조절방법에 관한 것으로, 음극 기판과 양극 기판 사이에 절연박막 및 홈을 형성시키는 방법에 의해 전계방출부의 끝부분과 양극 표면간의 거리를 1㎛ 이하로부터 수 백 ㎛에이르기까지 수십 Å 수준의 분해능으로 조절할 수 있도록 하여 전계방출부로 부터의 전계 분포를 정확히 실측할 수 있을뿐 아니라 전계방출 전압 및 방출 전류을 효과적으로 제어할 수 있으며, 아울러 전계방출표시소자는 물론 마이크로 팁을이용한 터널링 세서 제조 등에도 응용 가능한 고신뢰성의 다이오드형 전계방출소자를 구현할 수 있게 된다.