일반기술

깊은 엔웰을 갖는 3중웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터 제조방법 및 수신기

<기술의 개요> 본 기술은 신 시스템에 관한 것으로서, 본 기술은 DC 오프셋, I/Q회로 간 정합 특성, 및 잡음 특성이 개선된 수신 감도가 우수한 직접 변환 수신기에 관한 것이다. 본 기술에 따른 깊은 엔웰을 갖는 3중웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터 제조방법은 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터를 포함하는 바이-씨모스(BICMOS) 트랜지스터 제조방법에 있어서, 깊은 N웰을 갖는 3중웰 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 CMOS 공정의 N+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 CMOS 공정의 P웰 및 P+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 CMOS 공정의 깊은 N웰, N웰 및 N+ 콘택트에 의하여 형성되며, 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터의 P웰은 쉘로우(SHALLOW) P-베이스 임플란트(P-BASE IMPLANT) 공정에 의하여 P웰의 두께가 감소되는 것을 특징으로 함.<기술의 특징>에미터 : CMOS 공정의 N+소스-드레인 확산영역에 의하여 형성됨.베이스 : CMOS 공정의 P웰 및 P+소스-드레인 확산영역에 의하여 형성됨.콜렉터 : CMOS 공정의 깊은 N웰, N웰 및 N+콘텍트에 의하여 형성됨.<기술의 장점>DC 오프셋, I/Q 신호간 정합 특성 및 1/f 잡음 특성이 개선됨.