일반기술

반도체 기판 상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법, 이를 이용한 반도체 도선 형성방법 및 이를 이용하여 인덕터 소자 제조방법

<기술의 개요>본 기술은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 성장된 탄소나노튜브를 홈에 채워 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 기술에 따른 반도체 소자를 제조하는 방법은, 기판 위에 몰드를 패터닝하는 단계 패터닝에 의해 형성된 홈 및 몰드 전면에 탄소나노튜브를 도포하는 단계 몰드 전면에 도포된 탄소나노튜브를 홈에 채워 넣는 단계 및 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법인 것을 특징으로 이루어진다.<기술의 특징> 기판 상면에 몰드를 패터닝하여 선택적으로 홈을 형성시킨 후 홈 및 몰드 상면에 성장된 탄소나노튜브를 도포하여 탄소나노튜브 구조체를 형성하며, 몰드 상면에 도포 된 탄소나노튜브 구조체를 평평한 도구를 이용하여 홈에 채워 넣어 몰드를 제거하여 반도체 기판상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 선택적으로 형성시키는 것을 특징으로 한다.<기술의 장점>대량 합성 및 성장된 우수한 탄소나노튜브를 원하는 부위에 선택적으로 형성시킬 수 있으며, 금속 촉매를 쓰지 않고도 형성할 수 있다.