일반기술

융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터 및 이의 제조방법

<기술의 개요>본 기술은 기존의 CMOS 공정에 있어서, 소스와 드레인 영역위에 게르마늄(GE)을 증착하고 후속 열공정(RAPID THERMAL ANNEALING; RTA)을 통하여 SI1-XGEX 물질의 융기된 소스/드레인(ELEVATED SOURCE/DRAIN; ESD)을 형성함으로써 소스/드레인간의 저항을 줄이고, SI1-XGEX와 SI사이의 불순물 확산율의 차이를 통해 얕은 소스/드레인 접합영역(SHALLOW SOURCE/DRAIN JUNCTION DEPTH)을 형성하며, SI1-XGEX에서 GE의 성분비가 증가함에 따라 상승하는 가전자 에너지대역(VALANCE ENERGY BAND)의 변화로 에너지 밴드갭(ENERGY BAND GAP)을 작게하여 전위장벽을 높이는 효과가 있다. 이로서 펀치드루우(PUNCHTHROUGH)와 같은 단 채널 효과(SHORT CHANNEL EFFECT)를 효과적으로 억제시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제시한다.<기술의 특징> 제 1 단계 : 반도체 기판 상에 게이트 산화막과 폴리실리콘막, 하드마스크를 순차적으로 형성. 제 2 단계 : 하드마스크 상에 감광막을 도포한 후 포토마스크를 이용하여 게이트가 형성될 영역으로서 게이트 산화막과 폴리실리콘막 및 하드마스크 패터닝.제 3 단계 : 패터닝 후, 반도체 기판 상에 유전물질을 전면에 걸쳐 증착하고 비등방성 식각 공정을 이용하여 스페이서를 형성.제 4 단계 : 스페이서를 중심으로 양쪽에 게르마늄(Ge)을 증착.제 5 단계 : 소스/드레인 영역을 형성하기 위해 증착된 게르마늄에 불순물을 주입.제 6 단계 : 불순물을 주입한 후, 후속열공정을 통하여 게르마늄과 반도체 기판간의 경계면에 Si1-xGex층을 형성하고, 소스/드레인 영역을 활성화.<기술의 특징>반도체 소자가 집적화됨에 따라 야기되는 단채널 효과를 억제하여 소자의 특성을 더욱 개선시킴.