일반기술

이중-게이트 플래쉬 메모리소자 및 그 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 SOI 웨이퍼가 아닌, 값이 싸고 플로팅 바디 효과나 열전도 문제가 없는 벌크 실리콘기판에 폭이 100nm 이하인 담장형 Fin액티브 영역을 형성하고, 측면에 터널링 산화 막을 형성하며 전하가 저장될 수 있는 플로팅(저장) 전극을 형성하여 플래시 메모리소자를 구현한다. 본 구성의 이중-게이트 플래시 메모리소자 구조에 의해 스케일링 다운 특성이 우수하고 메모리 성능을 향상시킨다.기술의 특징 - 벌크 실리콘기판 - 담장 모양의 Fin액티브 영역 : 벌크 실리콘기판에 연결되고 벌크 실리콘기판 상부에 단결정 실리콘으로 형성됨. - 제2산화막 : 벌크 실리콘기판 표면에서 Fin액티브 영역의 일정 높이까지 형성됨. - 터널링 산화막 : 제2산화막 위의 Fin액티브 영역 양쪽 측벽에 형성됨. - 제1산화막 : Fin액티브 영역의 위쪽 표면에 터널링 산화막의 두께와 같거나 두껍게 형성됨. - 저장 전극 : 제1,2산화막 위에 프로그램에 의해 전하를 저장시키도록 형성됨. - 산화막 : 저장 전극 위에 형성됨. - 컨트롤 전극 : 전극 사이 산화막 위에 형성됨. - 소스/드레인 : 컨트롤 전극과 겹치는 Fin액티브 영역을 제외한 Fin액티브 영역 양쪽에 형성됨. - 콘택영역 및 금속층 : 소스, 드레인, 컨트롤 전극의 콘택 부분에 형성됨. 기술의 장점 - 벌크형 이중-게이트 플래쉬 메모리소자에 의해 결국 플래쉬 메모리의 성능과 집적도를 동시에 근본적으로 개선할 수 있도록 함.