일반기술

이중-게이트 ＦｉｎＦＥＴ 소자 및 그 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 이중-게이트 ＦｉｎＦＥＴ 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 벌크(bulk) 실리콘기판을 이용하되, 채널이 형성되는 바디(body)가 될 실리콘의 Fin액티브 영역이 나노 크기의 폭을 갖도록 하고 기판에 연결되도록 하며, 전류가 흐르는 길이 방향으로 담장처럼 형성되게 함으로써 전기적으로 안정된 이중-게이트 ＦｉｎＦＥＴ 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 종래의 이중-게이트 소자는 통상 SOI 실리콘기판을 이용하여 제작하는데, 이는 웨이퍼 가격이 비싸고 또한 SOI MOS 소자에서 가능한 플로팅 바디 효과나 드레인/소스 사이의 항복접압 강하, off-전류의 증가를 초래하며 기판으로 열전도가 잘 되지 않는 문제가 있다. 본 기술에서는 SOI 실리콘기판 대신에 벌크 실리콘기판을 사용하되, 채널이 형성되는 바디가 될 Fin액티브 영역이 나노 크기의 폭을 가지며 전류가 흐르는 길이 방향으로 담장처럼 형성되어 벌크 실리콘기판과 연결되는 것이다.기술의 특징 - 벌크 실리콘기판과, - 담장 모양의 Fin액티브 영역 : 벌크 실리콘기판에 연결되고 벌크 실리콘기판 상부 가운데에 단결정 실리콘으로 형성됨. - 제2산화막 : 벌크 실리콘기판 표면에서 Fin액티브 영역의 일정 높이까지 형성됨. - 게이트 산화막 : 제2산화막 위의 Fin액티브 영역 양쪽 측벽에 형성됨. - 제1산화막 : Fin액티브 영역의 위쪽 표면에 게이트 산화막과 같거나 두껍게 형성됨. - 게이트 : 제1,2산화막 위에 형성됨. - 소스/드레인 : 게이트와 겹치는 Fin액티브 영역을 제외한 Fin액티브 영역 양쪽에 형성됨. - 콘택영역 및 금속층 : 소스, 드레인, 게이트의 콘택 부분에 형성됨.기술의 장점 - 벌크 웨이퍼를 사용하여 가격이 싸고 게이트와 자기정렬되게 소스/드레인에 에피층을 성장하여 기생 저항성분을 줄일 수 있음. - 실리콘 구조물인 Fin액티브 영역은 채널이 형성되는 바디이고 벌크 실리콘기판과 연결되어 플로팅 바디 문제를 해결할 수 있음. - 열전도가 잘 되어 소자의 특성을 향상시킬 수 있음.