일반기술
발광 다이오드 및 제조방법
<기술의 개요>본 기술은 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 45도 반사기, 깊게 에칭된 사이드 월(side wall) 및 모노리딕 마이크로 렌즈(monolithic microlens)로 구성된 발광 다이오드를 제공함으로써, 광의 퍼짐을 막고 방향성을 강화하여 광을 집중시키고 강한 출력을 낼 수 있는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위하여 본 기술은 발광 박막이 성장된 웨이퍼가 형성된 발광 다이오드와, 발광 다이오드의 활성 층에서 발생된 광을 전반사시키는 반사기와, 반사기 하부에 접촉되고 InP기판 안으로 퍼져나가는 빛을 반사시키는 깊게 에칭된 사이드 월과, 반사기 및 깊게 에칭된 사이드 월에서 반사된 광을 집속시켜 광을 방출하는 모노리딕 마이크로 렌즈를 포함하여 구성됨으로써 광출력 포화현상으로 기인한 효율 저하를 개선하고 광을 집중하여 출력하므로 고휘도를 낼 수 있는 효과를 도출한다.<기술의 특징> - 반사기 : 발광 다이오드의 활성층에서 발생된 광을 발광 다이오드의 광 출력면으로 반사. - 사이드 월 : 반사기 하부에 접촉되고 활성층에서 발생된 광을 반사. - 모노리딕 마이크로 렌즈 : 다이오드의 광 출력면에 렌즈모양으로 형성되어 반사기 및 사이드 월에서 반사된 광을 집속시켜 광을 방출.<기술의 장점> - 광의 퍼짐을 막고 방향성을 향상시켜 광을 집중시킬 수 있으며 출력 효율을 향상시킬 수 있음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전자요소 기술
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-05-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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