일반기술
강유전체 게이트를 가지는 전계효과트랜지스터를 이용한 불휘발성 기억소자 및 그 제조방법
반도체표면에 CeO2/SrBi2Ta2O9이중막을 형성시키고 이중막의 강유전체인 SrBi2Ta2O9막상에 백금전극을 부착하며, 상기 CeO2/SrBi2Ta2O9/Pt의 삼중층 주위에 산화방지막을 도포하여 형성되는 게이트를, 전계효과트랜지스터의 게이트로 이용하므로서커패시터가 필요없는 강유전체게이트를 가지는 전계효과트랜지스터(FET)기억소자를 제공한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-11-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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