일반기술

다중양자우물 수직입사 적외선 탐지소자 및 그의 제조방법

<기술의 개요> 본 기술은 다중양자우물(multiple quantum well) 수직입사 적외선 탐지소자(infrared photodetector) 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 기술의 적외선 탐지소자는 상면에 이방성 경사면이 형성된 기판 전기 기판의 이방성 경사면 상에 형성되며 수직입사된 빛을 탐지하기 위하여 표면 내부가 하향으로 경사지도록 형성된 다중양자우물 전기 다중양자우물의 상단과 하단에 형성되어 접지전극과 감지전극을 부설하기 위한 접지층 및 감지층 및, 전기 접지층 및 감지층 각각에 부착 형성되어 다중양자우물에서의 탐지된 결과를 외부로 전달하기 위한 접지전극 및 감지전극을 포함하며, 본 기술에 의한 다중양자우물 수직입사 적외선 탐지장치는 별도의 부대장치가 필요없이 적외선 탐자소자면에 대해 수직입사되는 빛을 효율적이고 감도높게 탐지할 수 있으며, 본 기술에 의해 적외선 탐지소자를 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.<기술의 특징>상면에 이방성 경사면이 형성된 기판과 수직 입사된 빛을 탐지하기 위하여 표면 내부가 하향으로 경사지도록 형성된 다중양자우물과, 다중양자우물의 상단과 하단에 형성되어 접지전극과 감지전극을 부설하기 위한 접지층과, 감지층 및 그 각각에 부착 형성되어 다중양자우물에서의 탐지된 결과를 외부로 전달하기 위한 접지전극 및 감지전극을 특징으로 한다.<기술의 장점> 별도의 부대장치가 필요없이 적외선 탐지소자면에 대해 수직입사되는 빛이 효율적으로 감도 높게 탐지됨.