일반기술
고 Si 규소강판의 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 고 SI 규소강판을 냉간압연에 의하여 박판으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것으로 본 기술에 따르면, 중량%로 5∼6.5%의 고 SI 규소강을 슬라브 강판으로 제조하는 단계와, 강판을 1100℃ 이상으로 재가열하여 조직을 균질화하는 단계 및 균질화된 강판을 800∼1200℃의 온도범위에서 열간압연하되 최종 패스의 압연온도를 800∼900℃로 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고 SI 규소강판의 제조방법이 제공되며 고주파 영역에서의 자기특성이 우수하지만 냉간압연이 불가능한 고 SI 규소강판을 연속적으로 박판으로 가공하는 것이 가능한 이점이 있고 본 기술은 고 Si 규소강판을 냉간압연에 의하여 박판으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것임.기술의 특징 - 5∼6.5중량%의 고 Si 규소강을 금형 주조법 및 스트립 캐스팅법 중 선택된 어느 한 방법으로 슬라브 강판으로 제조한 후 재가열하여 조직을 균질화시키고, 균질화된 강판을 850∼1200℃의 온도 범위에서 열간 압연한 후 300∼500℃의 온도로 강제 냉각하여 권취하거나, 또는 열간압연 강판을 150∼300℃의 온도로 강제 냉각하여 냉간압연함.기술의 장점 - 슬라브의 주조, 재가열, 열연판의 강제냉각, 권취, 냉간압연 조건의 적절한 제어를 통하여, 종래 고주파 영역에서의 자기특성이 우수하지만 냉간압연이 곤란하였던 고 Si 규소강판을 연속적으로 박판으로 가공할 수 있도록 함.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 금속재료
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-05-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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