일반기술

실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의 전이방법

기술의 개요 - 본 기술은 실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층(Epitaxial Silicide Layer)을 형성하고, 이 실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 형성한 다음, 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 고품위 실리콘 박막을 분리하고 분리된 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합하는 기술에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 실리사이드 에피택시 층을 이용한 고품위 실리콘 박막의 전이방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 실리콘 기판 위에 실리사이트 에피택시 층을 이용하여 고품위 실리콘 박막을 형성하여 성장시킨 후 실리콘 기판과 다른 이종기판에 고품위 실리콘 박막을 전이하는 제조 방법을 제공한다.기술의 장점 - 본 기술은 첫째, 실리사이드 에피택시층은 고품위 실리콘 박막 성장을 위한 씨앗층의 역할을 한다. 즉 실리사이드 에피택시층은 실리콘 기판과 격자상수 불일치가 매우 작을 뿐만 아니라 고온에서의 열안정성을 지니고 있으므로, 그 위에 유사 단결정 또는 다결정 실리콘 박막의 성장에 큰 공정 윈도우를 제공하는 이점을 지닌다. - 둘째, 실리사이드 에피택시층은 선택적인 식각이 가능하며, 막 특성이 균일하여 층 전체에서의 일정한 식각 속도를 얻을 수 있는 이점이 있다. - 셋째, 실리사이드 에피택시층이 제거됨으로써 분리된 실리콘 기판은 다시 재활용되어 동일한 전이 공정의 반복 수행이 가능한 이점을 지닌다.