일반기술

황하카드뮴막의 제조방법 및 장치

기술의 개요 - 본 기술은 CBD(Chemical bath deposition)법을 이용하여 황화카드뮴(CdS) 박막을 제조함에 있어 카드뮴(Cd) 이온과 황(S) 이온이 용해되어 있는 용액을 가열시키는 열원을 기판의 상부에 설치함으로써 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막을 형성하는 것이다.기술의 특징 - 용액에 함침되어 있는 기판 상부에 용액을 가열시키는 열원인 히터를 설치하여 기판이 가장 높은 온도를 갖도록 하고, 용액의 온도는 기판에서 멀어질수록 감소하게 함으로써 기판부근의 용액중에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 입자의 생성을 억제하는 동시에 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS막이 생성되는 불균일 반응을 촉진하고 CdS막의 성장을 증가시키는 것을 제공한다.기술의 장점 - 용액 내에서의 핵생성을 억제하면서도 기판 근처에서만 불균일핵생성이 일어나도록 제어할 수 있다. 이를 통하여 CdTe와의 접합 특성을 증가시키고, 그 후 공정에서 핀홀(pin hole)의 생성을 저지하여 태양전지의 누설전류를 감소시키고 또한 광투과도를 증가시켜 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있다.