일반기술
전도성 도핑층과 금속층을 갖는 반도체 칩
고체 내부에서 열 에너지가 전달되는 경로는 금속에서는 전자를 통해서, 그리고 부도체에서는 격자진동인 포논을 통해서 일어난다. 소자의 방열은 대부분 소자 뒷면에 히트싱크를 부착하여 실현하게 되는데 이때 히트싱크와 실리콘 칩 사이의 계면에서의 열 저항이 열전달 효율을 결정하는 중요한 요소가 된다. 본 기술은 이온 임플란트를 이용하여 칩 뒷면에 전도도가 높은 전도성 층을 형성하고, 그 위에 금속을 입혀 실리콘 기판에서 발생하는 열이 포논에 의한 전달경로 외에도 전자에 의한 전달경로를 추가하는 방법이다. 이때 실리콘 기판 내에서 반도체-도핑층 전도체 간의 열전달은 동일 기판 내부에서 일어나는 일이므로 매우 효율적이 되며, 도핑층에서 금속으로의 열전달은 전자를 통한 채널이 추가되므로 효율이 높아진다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 한국표준과학연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-06-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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