일반기술

양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법

본 기술은 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 마이크로 머시닝 기술과 반도체소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술의 목적은 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계, 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계, 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를노출시키는 단계, 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계, 탐침의 첨두부에 금속점을 증착시키는 단계 및 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법에 의해 달성된다.따라서, 본 기술의 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.