일반기술
반도체 기판 관통형 전극 제조방법
본 기술은 반도체 기판 관통형 전극 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판을 식각하여 관통홀을 형성하는 단계, 유리 기판의 상부에 금속층을 형성하는 단계, 반도체 기판과 유리 기판을 접합하는 단계, 관통홀을 도금하여 관통홀 내에 도금층을 매립하는 단계, 유리 기판을 제거하는 단계 및 금속층을 제거하는 단계를 포함한다.따라서, 본 기술은 관통홀을 도금하기 위한 공정이 단순하여 공정 수율의 향상 및 공정 비용을 절감할 수 있으며, 반도체 기판에 작용하는 스트레스를 최소화하여 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전자부품연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-06-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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