일반기술
나노와이어 소자 제조 방법
본 기술은 나노와이어소자 제조를 대량으로 가능하게 하는 방법에 관한 것으로 실리콘 웨이퍼에 종래의 사진식각공정과 실리콘 건식 식각 공정으로 직경이 수백 ㎚ 정도의 나노와이어 패턴을 제작한 후 실리콘 열산화 공정과 산화막 제거 공정을 이용하여 직경 수 나노미터 내지 수십 나노 크기의 나노와이어를 제작한다. 그리고 이를 절연막이 형성된 다른 기판에 전사시켜 나노와이어소자를 제작하는 방법을 제시한다. 나노와이어를 제조한 웨이퍼에서 절연막이 형성된 다른 웨이퍼로 나노와이어를 전사하는 방법을 이용함으로써 의도한 곳에 나노와이어를 위치시키려는 나노와이어 정렬과정이 불필요하며 SOI 웨이퍼를 사용할 필요가 없다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전자부품연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-06-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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