일반기술

나노와이어 소자 및 제조방법

본 기술의 나노와이어 소자는 제1실리콘 기판에서 트랜스퍼를 위해 릴리즈된 나노와이어, 제2기판의 상부에 트랜스퍼된 나노와이어, 나노와이어와 전기적으로 연결된 전극 및 나노와이어소자, 전극의 상부에 형성되어 분석 대상물에 노출되는 것을 방지하는 절연층, 나노와이어의 표면에 형성된 산화막, 산화막의 표면에 유기 실란기로 이루어진 유기 실란층 및 유기 실란층 상부에 형성되어 분석 대상물에 감응하는 수용기를 포함한다. 따라서, 본 기술은 나노와이어 릴리즈 과정에서 발생되는 스트레스 영향을 최소화하여 나노와이어 트랜스퍼 시 나노와이어의 소실 및 위치변화를 방지할 수 있어 나노와이어 소자의 양산성을 향상시킬 수 있으며, 나노와이어 소자 제조에서 필수적인 나노와이어 배열 및 정렬을 용이하게 하는 이점이 있다. 이로 인하여 본 기술은 향후, 나노와이어 바이오센서뿐 아니라, 나노와이어 FET, 플렉시블 디스플레이 등의 분야에 용이하게 적용 가능한 이점이 있다.