일반기술

나노와이어 소자 제조 방법

본 기술은 나노와이어 소자 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 실리콘 기판을 사용하여 실리콘 나노와이어를 제조한 후 다른 기판 위에 실리콘 나노와이어를 전사시키고 전극 구조물을 형성시키는 나노와이어 소자 제조 방법에 관한 것이다.본 기술의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 기판에 제1열산화막을 형성하는 제1단계, 실리콘 기판에 칼럼구조를 형성하는 제2단계, 칼럼구조가 형성된 실리콘 기판에 지지기둥 구조물 및 나노와이어 구조물을 형성하는 제3단계, 제1열산화막을 제거하는 제4단계 실리콘 기판에 제2열산화막을 형성하는 제5단계 및 제2열산화막을 제거하는 제6단계를 포함하는 나노와이어 제조 방법으로 제조된 나노와이어가 형성된 제1 기판을 준비하는 단계, 산화막이 형성된 제2 기판에 점착제를 균일하게 코팅하는 단계, 나노와이어를 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계, 점착제를 제거하는 단계, 및 점착제가 제거된 제2 기판상에 전극 구조물을 형성시키는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.따라서, 본 기술의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 나노와이어를 제조한 기판에서 절연막이 형성된 다른 기판으로 실리콘 나노와이어를 전사하는 패턴 트랜스퍼 방법을 이용함으로써 전자빔 리소그라피 공정과 SOI 웨이퍼를 사용하지 않고서도 나노와이어 소자를 생산할 수 있는 장점이 있다.또한, 본 기술의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘을 식각하여 실리콘 나노와이어를 제조함으로써 별도의 나노와이어 정렬과정이 필요 없다.또한, 본 기술의 나노와이어 소자 제조 방법은 역삼각형 단면을 갖는 실리콘 나노와이어 구조물을 형성한 후 2차 열산화 공정 또는 3차 열산화 공정으로 실리콘을 산화시킴으로써 수십 ㎚ 크기의 단면을 갖는 단결정 실리콘 나노와이어를 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다.또한, 본 기술의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 나노와이어가 전사된 기판에 전기적 컨택을 위한 전극 구조물을 후속 공정으로 제작할 수 있음으로 해서 나노와이어 소자를 웨이퍼 단위의 공정에서 제조하는 것이 가능하고, 이로 인해 대량생산이 가능하여 저가의 나노와이어 소자의 제조를 할 수 있는 효과가 있다.