일반기술

탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법

본 기술은 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법에 관한 것으로 상전이 박막 상에 금속-절연체 상전이 박막을 추가로 증착하여 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 고밀도의 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조하는 것에 관한 것이다.본 기술의 탐침형 정보저장장치의 기록매체는 상전이 박막을 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체에 있어서, 실리콘 기판, 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극, 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상전이 박막 상에 위치하는 금속-절연체 상전이 박막으로 구성됨에 기술적 특징이 있다.따라서, 본 기술의 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법은 상전이에 의하 저항치의 변화를 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조함에 있어 제1 상전이 박막 상에 제2 상전이 박막을 추가로 증착함으로써 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 장점이 있고, 테라비트급 탐침형 정보저장장치에 사용이 가능하며 PRAM 소자에 응용할 수 있는 효과가 있다.