일반기술

나노 소자급 Critical 산화막 식각공정 및 3차원구조 식각이 가능한 고밀도 플라즈마 식각장치

<기술의 개요>200mm 웨이퍼 상의 산화막 또는 웨이퍼를 플라즈마를 이용하여 식각할 수 있는 Dual Frequency CCP 타입의 산화막 식각장치로서, VHF를 이용한 저압공정으로 우수한 공정성능을 나타낸다.메모리, 비메모리, MEMS 및 Nano소자공정 등의 나노 소자급 초미세 가공이 가능하며, · 50nm이하 Memory: Ciritical Layer Oxide Etching (Damascene, Line & Space, Via Hole 등) · 60nm 이하 System IC: CIS, 구동 IC, Flash Memory · HARC, Hard Mask Etching, Hole Etching 공정대응 및 MEMS 공정대응이 가능함 · Oxide Etch, Nitride Etch, Glass Etch, Pyrex Etch, Various Dielectric Etch · MEMS, Nano 소자공정현재 양산라인 적용을 위한 다양한 공정의 데모평가가 완료된 상태이다. · 90nm급 DRAM소자의 Deep Contact 공정에서의 양산적용 평가완료 · 90nm DRAM 및 60/70nm FLASH소자에의 적용을 위한 α평가완료 · 0.13㎛급 ASIC Product Via Process 양산적용 평가완료또한, 19건의 특허 및 7건의 디자인의 지적재산권이 등록완료 된 상태이다.<기술의 특징>- 1 Cluster Tool with 2 Process Modules- Symmetric Chamber Design- Advanced Dual VHF Source- 고저항 Al2O3 Ceramic Sheet Coating ESC- Fixed Gap Electrode: - Multi Gas Flow- High Conductivity Exhaust- Low Pressure Process- High Density & High Uniformity Plasma with Stabilized Plasma Ignition- Easy Maintenance